一種利用長(zhǎng)晶組件制備碳化硅單晶的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011257241.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112481700B | 公開（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112481700B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-11 |
| 分類號(hào) | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王宗玉;高超;寧秀秀;李霞;潘亞妮;高宇晗;方帥;趙樹春;楊曉俐;張九陽(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉曉佳 |
| 地址 | 250118山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)天岳南路99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于PVT法制備單晶的長(zhǎng)晶組件，包括：坩堝和位于坩堝上方的加熱裝置；加熱裝置設(shè)有多個(gè)同心設(shè)置的環(huán)形加熱溫區(qū)，以使得在制備單晶的加熱和/或長(zhǎng)晶階段，通過(guò)控制多個(gè)同心設(shè)置的環(huán)形加熱溫區(qū)的整體加熱溫度調(diào)節(jié)坩堝內(nèi)的軸向溫梯，通過(guò)控制多個(gè)同心設(shè)置的環(huán)形加熱溫區(qū)中各個(gè)環(huán)形加熱溫區(qū)的加熱溫度調(diào)節(jié)坩堝內(nèi)的徑向溫梯。本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹苽涮蓟鑶尉У难b置，能夠控制坩堝內(nèi)溫場(chǎng)的軸向溫梯和徑向溫梯，以提高晶體的生長(zhǎng)速率，并保證晶體的生長(zhǎng)環(huán)境穩(wěn)定，維持較大的晶體邊緣徑梯，提高邊緣質(zhì)量，同時(shí)獲得更大尺寸的碳化硅單晶。 |
