一種基于增強(qiáng)型PHEMT的ESD保護(hù)電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810131749.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108110746A | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108110746A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H02H9/04 | 分類(lèi) | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 曹然 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州容芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫中瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 栗星星 |
| 地址 | 215612 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰大道鳳凰科創(chuàng)園D棟3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于增強(qiáng)型PHEMT的ESD保護(hù)電路，包括ESD偏置電路和電阻，還包括兩個(gè)串聯(lián)連接的增強(qiáng)型PHEMT管T1和T2，所述T1的源極與T2的源極連接，所述T1的漏極連接到需要ESD電路保護(hù)的芯片焊盤(pán)上，所述T2的漏極接地，所述ESD偏置電路設(shè)置有兩個(gè)，分別連接在所述T1的漏極和柵極之間和所述T2的柵極和漏極之間，所述T1的柵極和源極之間連接有電阻R1，所述T2的源極和柵極之間接電阻R2。本發(fā)明效果采用增強(qiáng)型PHEMT管背靠背串聯(lián)連接組成ESD保護(hù)電路，可以降低負(fù)載電容，使得本發(fā)明適用于高頻率電路，采用串聯(lián)若干個(gè)二極管提供ESD偏置電壓，可以提高ESD電路的導(dǎo)通電壓，使得本發(fā)明適用于高輸入功率的場(chǎng)合，而且可在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)成本低。 |
