一種高阻抗膜及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201911243381.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN110885967A | 公開(公告)日 | 2020-03-17 |
| 申請公布號 | CN110885967A | 申請公布日 | 2020-03-17 |
| 分類號 | C23C14/35;C23C14/08 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 夏偉;張兵;鄭建軍;張成金;姚仕軍;方添志;趙帥 | 申請(專利權)人 | 天津美泰真空技術有限公司 |
| 代理機構 | 天津合正知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 天津美泰真空技術有限公司 |
| 地址 | 301609 天津市靜海區(qū)大豐堆鎮(zhèn)靳莊子村南200米 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種高阻抗膜的制備方法,該方法包括如下步驟:采用磁控濺射法在玻璃基板上鍍膜,所用靶材為含銦復合材料,濺射室的壓強抽到1.5?3.5×10?3Pa,工作氣體為氬氣,濺射壓強為0.3?1.0Pa。本發(fā)明所述的高阻抗膜具有較高的表面電阻值、較好的防靜電效果和較好的抗干擾效果。 |





