硅基液晶空間光調(diào)制器與波長選擇開關
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010313040.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111458914A | 公開(公告)日 | 2020-07-28 |
| 申請公布號 | CN111458914A | 申請公布日 | 2020-07-28 |
| 分類號 | G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1339(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李方紅;常嘉興 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市科創(chuàng)數(shù)字顯示技術有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 | 代理人 | 深圳市科創(chuàng)數(shù)字顯示技術有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)科苑路金融基地2棟5E | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種硅基液晶空間光調(diào)制器及波長選擇開關。所述硅基液晶空間光調(diào)制器包括:第一基板、與第一基板相對間隔設置的第二基板以及設于第一基板與第二基板之間的液晶層;第一基板包括:硅基背板及設于硅基背板上的輔助層;硅基背板包括陣列排布的多個像素區(qū),輔助層包括多個條狀的第一擋墻、多個條狀的第二擋墻及多個凸起部;多條第一擋墻與多條第二擋墻縱橫交錯形成多個網(wǎng)格,每一個網(wǎng)格包圍一個像素區(qū),且每一個網(wǎng)格內(nèi)設有至少一個凸起部;能夠提升硅基液晶空間光調(diào)制器的對比度,降低邊緣場效應。?? |





