一種紅外光偵測(cè)薄膜、器件、顯示裝置、制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710733229.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109427916B 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN109427916B 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L31/0224;H01L31/113;H01L31/20;H01L27/144 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃建東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海耕巖智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市景弘專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 呂元輝;林祥翔
地址 201800 上海市嘉定區(qū)真南路4268號(hào)2幢J2990室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種紅外光偵測(cè)薄膜、器件、顯示裝置、制備方法，相較于采用TFT漏電流作紅外光敏薄膜晶體管之器件，本發(fā)明以底部柵極式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)將光伏柵極設(shè)置于源極和漏極間隙內(nèi)，大幅增加了光電子的激發(fā)。在每一個(gè)偵測(cè)像素里，源極與源極相互并聯(lián)，漏極與漏極也都相互并聯(lián)，相鄰的源極和漏極之間間隙配合，降低了光激發(fā)之電子與空穴再復(fù)合機(jī)率，增加了場(chǎng)效應(yīng)作用下電極收集光電子的成功機(jī)率，最大化地改善了TFT漏電流紅外光敏薄膜晶體管的光敏感度。本發(fā)明無需摻雜含硼氣體即可實(shí)現(xiàn)，有效減少了紅外光偵測(cè)薄膜生產(chǎn)過程中對(duì)環(huán)境的污染，降低了生產(chǎn)成本。