一種降低外延片堆垛層錯(cuò)缺陷的外延方法及其應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010439296.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111681947A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111681947A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李云廷;馮禹;姚曉杰;孔令沂 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東莞信律師事務(wù)所 | 代理人 | 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號(hào)二樓辦公樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種降低外延片堆垛層錯(cuò)缺陷的外延方法，包括以下步驟：S1、將襯底放置于反應(yīng)室內(nèi)的生長(zhǎng)位置；S2、向反應(yīng)室內(nèi)通入氫氣，升溫，在氫氣氛圍下刻蝕10～20min；S3、向反應(yīng)室內(nèi)通入乙烯和三氯氫硅氣體直到C/Si比值為0.9～1.2，低速生長(zhǎng)第一外延緩沖層；S4、向反應(yīng)室內(nèi)繼續(xù)通入乙烯及三氯氫硅氣體直到C/Si比值為0.6～0.9，低速生長(zhǎng)第二外延緩沖層；S5、停止向反應(yīng)室內(nèi)通入乙烯和三氯氫硅，并降溫，在氫氣氛圍下刻蝕4～10min；S6、逐漸增加乙烯和三氯氫硅的流量直到C/Si比值為1.0～1.2，高速生長(zhǎng)外延層，形成外延片；S7、降低反應(yīng)室溫度，取出外延片并進(jìn)行檢測(cè)、清洗和封裝。?? |
