可規(guī)劃的非易失性內(nèi)容可定址存儲器及其操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510226561.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106205685B 公開（公告）日 2018-08-28
申請公布號 CN106205685B 申請公布日 2018-08-28
分類號 G11C15/04 分類 信息存儲;
發(fā)明人 王立中 申請（專利權）人 芯立嘉集成電路（杭州）有限公司
代理機構 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 閃矽公司
地址 美國加利福尼亞州
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種可規(guī)劃的非易失性內(nèi)容可定址存儲器及其操作方法，該非易失性內(nèi)容可定址存儲器包含一個互補的非易失性存儲器裝置對及一個MOSFET裝置。規(guī)劃的非易失性內(nèi)容可定址存儲器單元可被建構以形成一NOR型匹配線非易失性存儲器陣列及一NAND型匹配線非易失性存儲器陣列。相較于只能根據(jù)已知的儲存地址利用地址碼來存取隨機存儲器，本發(fā)明可規(guī)劃的非易失性內(nèi)容可定址存儲器可預先規(guī)劃非易失性存儲器內(nèi)容數(shù)據(jù)以及利用輸入內(nèi)容數(shù)據(jù)來搜尋以觸發(fā)后續(xù)的運算過程。本發(fā)明可規(guī)劃的非易失性內(nèi)容可定址存儲器的獨特性為神經(jīng)運算技術提供一個關鍵元件。