一種BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210231487.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114613699A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN114613699A 申請(qǐng)公布日 2022-06-10
分類號(hào) H01L21/67（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝進(jìn);鄧雪華;王銀海;郭佳龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 211110江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法,包括步驟：（1）準(zhǔn)備溫度控片；（2）反應(yīng)腔升溫并進(jìn)行HCL清潔；（3）冷卻至室溫，裝入溫度控片；（4）以恒定的升溫速率升溫至1150?1200℃進(jìn)行烘烤；（5）取出溫度控片進(jìn)行化學(xué)處理；（6）對(duì)溫度控片進(jìn)行電阻率測(cè)試，獲得溫度控片各區(qū)域溫度并進(jìn)行溫度補(bǔ)償；（7）清洗待外延的硅片并重復(fù)步（2）的操作后，將待外延的硅片放入反應(yīng)腔；以步驟（4）中的升溫速率升溫至預(yù)設(shè)烘烤溫度并同步進(jìn)行步驟（6）中的溫度補(bǔ)償，進(jìn)行烘烤；調(diào)整反應(yīng)腔溫度至生長(zhǎng)溫度，通入SiHCl3、H2并摻雜，外延生長(zhǎng)至目標(biāo)厚度和目標(biāo)電阻率。本發(fā)明能夠有效控制外延過(guò)程中硅片表面的溫度分布，更好控制滑移線的產(chǎn)生。