一種GaN發(fā)光二級(jí)管及其制備方法和LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811507471.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109346587B 公開（公告）日 2020-03-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN109346587B 申請(qǐng)公布日 2020-03-13
分類號(hào) H01L33/40;H01L33/38 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 康建;焦建軍;梁旭東;陳向東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 圓融光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 圓融光電科技股份有限公司
地址 243000 安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaN發(fā)光二級(jí)管及其制備方法和LED芯片，GaN發(fā)光二級(jí)管包括：包括依次層疊設(shè)置在襯底上的N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層和透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層上設(shè)有P型電極層，所述N型GaN層上設(shè)有與所述發(fā)光層隔開的N型電極層，且所述P型電極層和所述N型電極層包括多個(gè)Al層和多個(gè)Al/Si合金層，且所述多個(gè)Al層和多個(gè)Al/Si合金層依次交替層疊設(shè)置。本發(fā)明提供的GaN發(fā)光二級(jí)管解決了現(xiàn)有GaN發(fā)光二級(jí)管中電極層采用Al金屬制作時(shí)由于金屬Al的延展性較差、硬度過高且Al元素易氧化而造成封裝焊線過程中電極線容易脫落以及焊線不牢的問題。