一種發(fā)光二極管的生長方法和發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911023427.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110739374A 公開（公告）日 2020-01-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN110739374A 申請(qǐng)公布日 2020-01-31
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 康建;焦建軍;陳向東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 圓融光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 圓融光電科技股份有限公司
地址 243000 安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的生長方法和發(fā)光二極管，生長方法包括：1)在800?930℃和200Torr下，向反應(yīng)設(shè)備中通入氮?dú)?、氨氣、三甲基鋁、三甲基鎵以及三甲基銦，在量子阱發(fā)光層上生長第一AlxInyGa1?x?yN層后，停止通入所述氮?dú)狻睔?、三甲基鋁、三甲基鎵以及三甲基銦；2)向反應(yīng)設(shè)備中通入氫氣，使第一AlxInyGa1?x?yN層轉(zhuǎn)化為第一AlxGa1?xN層；3)循環(huán)執(zhí)行步驟1)?步驟2)T次，得到電子阻擋層AlxGa1?xN；其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x＞y。該方法有助于在對(duì)量子阱結(jié)構(gòu)不產(chǎn)生消極影響的基礎(chǔ)上生長高質(zhì)量的電子阻擋層。