一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010043536.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111244237B 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN111244237B 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 康建;蔡武;馬剛;米亭亭;林秀娟;陳向東;梁旭東 申請（專利權(quán)）人 圓融光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃健;臧建明
地址 243000 安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其生長方法，該外延結(jié)構(gòu)包括多量子阱結(jié)構(gòu)，多量子阱結(jié)構(gòu)由下至上依次包括電子減速層、前置發(fā)光層以及后置發(fā)光層；其中，電子減速層包括至少一組由勢阱層InaGa1?aN和勢壘層AlxGa1?xN層疊設(shè)置而成的第一量子阱結(jié)構(gòu)，前置發(fā)光層包括至少一組由勢阱層InbGa1?b和勢壘層AlyGa1?yN層疊設(shè)置而成的第二量子阱結(jié)構(gòu)，后置發(fā)光層包括至少一組由勢阱層IncGa1?cN和勢壘層AlzGa1?zN層疊設(shè)置而成的第三量子阱結(jié)構(gòu)，0.01