量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)、GaN基綠光發(fā)光二極管及生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010385334.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111525004A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111525004A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-11 |
| 分類號(hào) | H01L33/06(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 康建;焦建軍;陳向東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 圓融光電科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 圓融光電科技股份有限公司 |
| 地址 | 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)寶慶路399號(hào)1棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)、GaN基綠光發(fā)光二極管及生長(zhǎng)方法，涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域，用于解決發(fā)光二極管在驅(qū)動(dòng)電流變化下藍(lán)移以及半峰寬增加的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供的量子阱發(fā)光層具有至少一層InxGa1?xN層和至少一層InyGa1?yN層形成的層疊設(shè)置，且存在InxGa1?xN層與InyGa1?yN層相鄰設(shè)置的層疊組合，并保證0＜x＜1，0＜y＜1，x>y，利用InyGa1?yN層這一低In組分層來(lái)彌補(bǔ)InxGa1?xN層這一高In組分層中的缺陷。相應(yīng)的生長(zhǎng)方法通過(guò)對(duì)量子阱進(jìn)行復(fù)合增長(zhǎng)，可以有效降低量子阱內(nèi)由于高In組分導(dǎo)致的晶格失配所引起的壓電場(chǎng)。?? |
