一種發(fā)光二極管中電子阻擋層的生長方法和發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> 2019110234272 申請日 -
公開（公告）號 CN110739374B 公開（公告）日 2020-01-31
申請公布號 CN110739374B 申請公布日 2020-01-31
分類號 H01L33/06(2010.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 康建;焦建軍;陳向東 申請（專利權）人 圓融光電科技股份有限公司
代理機構 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 代理人 朱穎;劉芳
地址 243000安徽省馬鞍山市經濟技術開發(fā)區(qū)寶慶路399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管中電子阻擋層的生長方法和發(fā)光二極管，生長方法包括：1)在800?930℃和200Torr下，向反應設備中通入氮氣、氨氣、三甲基鋁、三甲基鎵以及三甲基銦，在量子阱發(fā)光層上生長第一AlxInyGa1?x?yN層后，停止通入所述氮氣、氨氣、三甲基鋁、三甲基鎵以及三甲基銦；2)向反應設備中通入氫氣，使第一AlxInyGa1?x?yN層轉化為第一AlxGa1?xN層；3)循環(huán)執(zhí)行步驟1)?步驟2)T次，得到電子阻擋層AlxGa1?xN；其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x＞y。該方法有助于在對量子阱結構不產生消極影響的基礎上生長高質量的電子阻擋層。??