一種硅基發(fā)光器件電極結(jié)構(gòu)及其制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710612643.5 申請日 -
公開（公告）號 CN107394056B 公開（公告）日 2019-04-30
申請公布號 CN107394056B 申請公布日 2019-04-30
分類號 H01L51/52（2006.01）I; H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季淵; 沈偉星 申請（專利權(quán)）人 南京邁智芯微光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立
地址 211113 江蘇省南京市江寧區(qū)梅林街18號（江寧開發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基發(fā)光器件電極結(jié)構(gòu)及其制備工藝，電極結(jié)構(gòu)由硅基接觸層、光反射層和有機(jī)接觸層組成，其中所述電極結(jié)構(gòu)從硅基底開始依次為硅基接觸層、光反射層和有機(jī)接觸層；所述電極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述硅基底呈角度，且所述電極結(jié)構(gòu)與相鄰凹槽的寬深比不小于2：1。本發(fā)明所述的制備工藝，使用真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍膜或PECVD方法產(chǎn)生所述硅基接觸層、光反射層和有機(jī)接觸層，在刻蝕過程采用多套掩膜版和不同濃度的刻蝕劑使得刻蝕后所述電極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述硅基底呈角度，并且在垂直于襯底的方向上過刻；所述電極寬度不大于20μm；所述硅基底中包含驅(qū)動電路。本所述的電極結(jié)構(gòu)在側(cè)壁上具有斜面和臺階，有效降低沉積源斜向?yàn)R射引起的陰影問題。