藍(lán)寶石襯底的刻蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111556267.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114220893A 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220893A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L33/22（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉思東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 周永強(qiáng)
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種藍(lán)寶石襯底的刻蝕方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。一種藍(lán)寶石襯底的刻蝕方法包括：掩膜形成步驟，在藍(lán)寶石襯底的表面形成光刻膠掩膜圖形；第一刻蝕步驟，通入第一刻蝕氣體刻蝕藍(lán)寶石襯底和光刻膠掩膜圖形，使藍(lán)寶石襯底上初步形成所需的圖形輪廓，同時(shí)在光刻膠掩膜圖形的側(cè)壁形成拐角；第二刻蝕步驟，通入第二刻蝕氣體刻蝕光刻膠掩膜圖形，去除拐角并修直光刻膠掩膜圖形的側(cè)壁；循環(huán)第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟，直到光刻膠掩膜圖形完全去除；第三刻蝕步驟，通入第三刻蝕氣體，并施加比第一刻蝕步驟高的下電極功率，獲得具有圓錐狀凸起結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石襯底。本申請(qǐng)能夠解決PSS襯底側(cè)壁弧度大導(dǎo)致芯片亮度降低的問(wèn)題。