半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其晶圓傳輸裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111554180.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114220762A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220762A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/683（2006.01）I;H01L21/677（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉英偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高東
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)文昌大道8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其晶圓傳輸裝置，包括晶圓吸盤(pán)和傳輸臂，所述晶圓吸盤(pán)與所述傳輸臂連接，其中：所述晶圓吸盤(pán)開(kāi)設(shè)有多個(gè)負(fù)壓槽和多個(gè)氣道，多個(gè)所述負(fù)壓槽的尺寸不同，多個(gè)所述氣道用于與多個(gè)所述負(fù)壓槽一一對(duì)應(yīng)連通，所述傳輸臂開(kāi)設(shè)有負(fù)壓通道，所述負(fù)壓通道用于與多個(gè)所述氣道連通，用于使對(duì)應(yīng)的所述負(fù)壓槽內(nèi)形成負(fù)壓；多個(gè)所述負(fù)壓槽的槽口邊緣分別形成相應(yīng)的負(fù)壓吸附接觸部，多個(gè)所述負(fù)壓吸附接觸部分別用于與不同尺寸的晶圓抵接，所述晶圓在所述負(fù)壓槽的負(fù)壓作用下吸附于所述負(fù)壓吸附接觸部。上述方案可以解決晶圓吸盤(pán)吸附不同尺寸的晶圓時(shí)，需要使用不同的晶圓傳輸裝置或更換不同的晶圓吸盤(pán)而存在工作效率較低的問(wèn)題。