超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽芯片的片上阻抗匹配方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410546409.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105574578B 公開（公告）日 2019-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN105574578B 申請(qǐng)公布日 2019-03-15
分類號(hào) G06K19/077（2006.01）I; G06K19/073（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 管超; 郝先人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 睿芯聯(lián)科（北京）電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 睿芯聯(lián)科（北京）電子科技有限公司
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地信息路26號(hào)中關(guān)村創(chuàng)業(yè)大廈317室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽芯片的片上阻抗匹配方法，通過(guò)增加阻抗匹配電路調(diào)整所述芯片的輸入阻抗，包括步驟1：構(gòu)建輸入阻抗的等效電路；等效電路為電阻并聯(lián)電容的二端網(wǎng)絡(luò)；步驟2：在等效電路的輸出端增加L型阻抗匹配電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽芯片的片上阻抗匹配方法，能夠在空間受限或者環(huán)境惡劣的情況下，提高超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽芯片的Q值，從而保證電子標(biāo)簽正常工作。