低應力介質復合膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123025556.0 申請日 -
公開（公告）號 CN216698280U 公開（公告）日 2022-06-07
申請公布號 CN216698280U 申請公布日 2022-06-07
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/31（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周望;劉柏含;劉澤文;陳濤 申請（專利權）人 蘇州希美微納系統有限公司
代理機構 北京同輝知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)9棟402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種低應力介質復合膜，包括有單晶硅襯底，單晶硅襯底上分布有SiO2熱氧化薄膜層，SiO2熱氧化薄膜層上分布有SiO2薄膜層，SiO2薄膜層上分布有SiNx薄膜層。由此，通過對將薄膜的沉積參數的調整，讓應力調節(jié)到接近于零應力。整體結構能構成適當的應力補償，能夠將SiO2薄膜層的壓應力和SiNx薄膜層調節(jié)至相同，從而保證復合膜的低應力。整體構造簡單，便于加工制造。