一種高精度RF MEMS數(shù)字可變電容

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922266264.2 申請日 -
公開（公告）號 CN211208253U 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN211208253U 申請公布日 2020-08-07
分類號 H01G7/00;H01G5/38 分類 -
發(fā)明人 王競軒;劉澤文;肖倩;陳濤 申請（專利權）人 蘇州希美微納系統(tǒng)有限公司
代理機構 北京同輝知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉洪勛
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)9棟402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種高精度RF MEMS數(shù)字可變電容，包括有襯底，襯底上分布有若干組基于翹板式結構的RF MEMS數(shù)字可變電容單元，各個RF MEMS數(shù)字可變電容單元分組后，圍繞RF Pad分布，每組RF MEMS數(shù)字可變電容單元的RF電極與RF Pad接連，每組RF MEMS數(shù)字可變電容單元的最大容值均不相同，每組RF MEMS數(shù)字可變電容單元有兩種電容狀態(tài)，通過5位二進制數(shù)字驅動信號進行控制，RF Pad兩側均分布有GND Pad。由此，可變電容單元數(shù)量少，且可變電容容值的步階多，調節(jié)范圍廣，可調性強。在5組單元，每組二個電容狀態(tài)的條件下，有32個步階。在5組單元，每組三個電容狀態(tài)的條件下，有243個步階。由數(shù)字信號控制，可與IC兼容。