深硅刻蝕雙層復(fù)合掩膜層

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123047164.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216698283U 公開(kāi)（公告）日 2022-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN216698283U 申請(qǐng)公布日 2022-06-07
分類(lèi)號(hào) H01L21/308（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 周望;劉柏含;劉澤文;陳濤 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州希美微納系統(tǒng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)9棟402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種深硅刻蝕雙層復(fù)合掩膜層，其包括SiO2薄膜和AZ4620光刻膠，總厚度為6至10μm。通過(guò)PE CVD制備SiO2薄膜，旋涂AZ4620光刻膠，光刻、顯影和刻蝕SiO2薄膜獲得最終產(chǎn)品。由此，采用雙層掩蔽層結(jié)構(gòu)，既解決了SiO2無(wú)法長(zhǎng)厚的難題，也解決了光刻膠去膠難題。整個(gè)加工過(guò)程簡(jiǎn)單，無(wú)需考慮深硅刻蝕工藝選擇比，也無(wú)需考慮加工間隔等待時(shí)間。