一種高性能RF MEMS電容式開關(guān)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920515959.7 申請日 -
公開（公告）號 CN209461307U 公開（公告）日 2019-10-01
申請公布號 CN209461307U 申請公布日 2019-10-01
分類號 H01H1/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖倩;王競軒;陳濤;劉澤文 申請（專利權(quán)）人 蘇州希美微納系統(tǒng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州唯亞智冠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳曉瑜
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)9棟402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種高性能RF MEMS電容式開關(guān)，包括有襯底，襯底上分布有微波傳輸線，微波傳輸線上依次固定有介質(zhì)層和電容上極板，微波傳輸線兩側(cè)分布有地結(jié)構(gòu)，地結(jié)構(gòu)開設(shè)有電極容納槽，電極容納槽內(nèi)設(shè)置有開關(guān)驅(qū)動(dòng)電極，且開關(guān)驅(qū)動(dòng)電極底部固定于襯底上，開關(guān)驅(qū)動(dòng)電極上方鏡像懸掛有金屬膜橋，金屬膜橋同時(shí)連接地結(jié)構(gòu)，地結(jié)構(gòu)上設(shè)有開口，開口內(nèi)設(shè)有引線，開口上連接有金屬引線蓋。能夠讓驅(qū)動(dòng)電極遠(yuǎn)離微波傳輸線，對信號傳輸?shù)挠绊懞苄?，插入損耗更低?？梢詫?shí)現(xiàn)“OFF”、“ON”狀態(tài)，對地電容值可分別調(diào)節(jié)。金屬膜橋架設(shè)在開口上方，保證共面波導(dǎo)完整性，從而減小插入損耗。整體構(gòu)造簡單，易于制造。