一種半導(dǎo)體器件和熱沉鍵合的方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110894097.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113345808A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-09-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113345808A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-03 |
| 分類號(hào) | H01L21/50(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;B23K1/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊國(guó)文;王希敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 張洋 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢215、217室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件和熱沉鍵合的方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,包括在半導(dǎo)體器件的外延層上形成第一金屬層;外延層具有至少一個(gè)電流注入?yún)^(qū)和設(shè)在電流注入?yún)^(qū)兩側(cè)的非電流注入?yún)^(qū),且電流注入?yún)^(qū)和非電流注入?yún)^(qū)之間具有間隔區(qū),第一金屬層覆蓋電流注入?yún)^(qū)、非電流注入?yún)^(qū)和間隔區(qū);在第一金屬層上形成第二金屬層,使第二金屬層位于非電流注入?yún)^(qū)上;在第二金屬層上形成焊料層,使焊料層覆蓋第一金屬層和第二金屬層;將熱沉和焊料層焊接。半導(dǎo)體器件和熱沉鍵合時(shí),第二金屬層起到支撐作用;第二金屬層設(shè)于電流注入?yún)^(qū)兩側(cè),電流注入?yún)^(qū)不受力,焊接熔化的焊料處于自由流動(dòng)狀態(tài),減小封裝時(shí)對(duì)半導(dǎo)體器件的應(yīng)力影響。 |





