半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體元件及激光器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120716558.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN214379253U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214379253U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/34（2006.01）I;H01S5/18（2021.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊國(guó)文;唐松 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孫海杰 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢215、217室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體元件及激光器，涉及半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體單元，半導(dǎo)體單元的上表面設(shè)置有向下延伸的第一凹槽結(jié)構(gòu)；第一凹槽結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置有向下延伸的第二凹槽結(jié)構(gòu)，且第二凹槽結(jié)構(gòu)的寬度小于第一凹槽結(jié)構(gòu)的寬度；第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)的外側(cè)設(shè)置有由離子注入形成的高阻區(qū)。第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)可以形成離子注入的通道。加工第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)，再進(jìn)行離子注入工序，在相同離子注入條件時(shí)，第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)能夠增加離子注入的實(shí)際深度，降低離子注入的難度，縮短了離子注入的時(shí)間，通過(guò)刻蝕凹槽后進(jìn)行離子注入的方法能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)多隧道結(jié)的超深橫向電流擴(kuò)展限制。 |
