半導體結構鈍化方法及設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110971608.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113422290A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113422290A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01S5/028（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 惠利省;楊國文 申請（專利權）人 度亙核芯光電技術（蘇州）有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 楊萌
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢215、217室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導體結構鈍化方法及設備，涉及半導體解理的技術領域，所述半導體結構鈍化方法包括步驟：將半導體結構置入到腔室內；利用氬等離子體轟擊半導體結構的腔面；利用氫等離子體轟擊半導體結構的腔面；向腔室內通入氮等離子體，以使氮等離子體能夠在半導體結構腔面上形成氮化物層；在氮等離子體的環(huán)境下，向腔室輸入鋁源，用于在氮化物層的腔面形成氮化鋁過渡層；在氮等離子體的環(huán)境下，向腔室輸入鎵源和砷源進行原子沉積，用于在氮化鋁過渡層的表面形成鋁鎵砷鈍化層。清除掉半導體結構腔面吸附的殘渣顆粒和氧化物并進行表面鈍化，可以極大降低腔面復合中心的存在，從而提高半導體結構的輸出性能與壽命。