半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110867542.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113311309B 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113311309B 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國文;王希敏;惠利省 申請（專利權）人 度亙核芯光電技術（蘇州）有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 楊萌
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢215、217室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法，涉及半導體結構失效分析技術領域，半導體結構的覆蓋層剝除方法包括如下步驟：提供承載基板，將多個半導體結構固定連接在所述承載基板的上表面，且半導體結構的覆蓋層位于主體的上方；對承載基板上的半導體結構的襯底進行離子注入，然后對離子注入后的襯底進行加熱；去除破裂殘渣；對剩余在主體上的襯底進行研磨，以去除襯底。本方案可以同時對多個半導體結構進行集中處理，離子注入與加熱操作配合，使襯底開裂，達到去除襯底的絕大部分的效果，減少了對半導體結構的機械研磨時間，能夠提高獲取的主體的良品率。