半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010216859.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113451885A 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113451885A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01S5/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國(guó)文;唐松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 付興奇
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)蘇州金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢215、217室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體制造的技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括襯底、下限制層、量子阱、上限制層和脊形成層，所述下限制層設(shè)置在所述襯底上；所述量子阱設(shè)置在所述下限制層上；所述上限制層設(shè)置在所述量子阱上；所述脊形成層設(shè)置在所述上限制層上，所述脊形成層包括刻蝕溝槽和脊波導(dǎo)；其中，所述刻蝕溝槽的槽頂寬度為0.5?5μm。故本申請(qǐng)通過減小刻蝕溝槽的寬度來實(shí)現(xiàn)高階模式的耦合，增大高階模式的損耗，從而抑制高階模的激射，保證基模激射的穩(wěn)定性。