SiC基歐姆接觸結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110731269.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113178384B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN113178384B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L21/04（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李翔;謝志平;叢茂杰;闞志國 申請（專利權）人 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
代理機構 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 312000 浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種SiC基歐姆接觸結構及其制造方法，在對所述SiC基材區(qū)進行離子摻雜以形成離子摻雜區(qū)之后且在進行退火處理以激活所述離子摻雜區(qū)中的摻雜離子之前，先在所述襯底上形成具有第一開口的保護層，所述第一開口暴露出所述離子摻雜區(qū)的至少部分頂面，由此，在該保護層的掩蔽作用下，在退火處理過程中激活所述離子摻雜區(qū)中的摻雜離子，并使得所述第一開口暴露出的離子摻雜區(qū)的頂面因發(fā)生SiC升華而變?yōu)榇植陧斆?，從而在沉積金屬層并再次退火后而形成SiC基歐姆接觸時，可以利用粗糙頂面而提高金屬與離子摻雜區(qū)之間的結合性能，進而使得SiC基歐姆接觸具有更低的接觸電阻，從而提高器件性能。