絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210117032.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114156180A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156180A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡鈺祺 申請（專利權(quán)）人 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 312000浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法，所述絕緣柵雙極型晶體管的制造方法包括：提供一襯底，形成溝槽于所述襯底中；形成摻雜層于所述溝槽底部；執(zhí)行退火工藝，使得所述摻雜層中的摻雜離子擴散進入所述襯底中，以形成包圍所述溝槽底部的少子存儲層；去除所述摻雜層；形成柵極結(jié)構(gòu)于所述溝槽中；以及，形成體區(qū)于所述溝槽兩側(cè)的襯底頂部，所述體區(qū)與所述少子存儲層之間間隔所述襯底。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠減小對閾值電壓的影響且降低成本。