一種單晶碳晶納米鍍膜方法及反應器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910207690.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109763168A 公開（公告）日 2019-05-17
申請公布號 CN109763168A 申請公布日 2019-05-17
分類號 C30B29/04（2006.01）I; C30B25/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 盧國東; 陳密; 顧風軍; 瞿如娟; 黎川 申請（專利權）人 蘇州彩生新材料有限公司
代理機構 成都為知盾專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 李漢強;楊宜付
地址 215400 江蘇省蘇州市太倉市城廂鎮(zhèn)鄭和中路309號2幢502室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶碳晶納米鍍膜方法及反應器，其包括一面敞口的爐體和面板，所述面板安裝在爐體的敞口面上整體形成封閉的反應器，所述爐體內設置有隔板，隔板一端安裝在爐體內側壁上，另一端設置為向上傾斜翹起，所述隔板上還設置有兩擋板，兩擋板之間形成基材放置區(qū)域；所述爐體的上端面設置有銅柱和進氣口，下端面設置有銅柱和出氣口，爐體的一側壁上設置有進氣口，另一個相對的側壁上設置有激光口。本發(fā)明結構簡單、操作方便、鍍膜效率高，具有較好的市場推廣價值和應用前景。