MRAM與其的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710526108.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109216538B 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN109216538B 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L43/08（2006.01）I;H01L43/12（2006.01）I;G11C11/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王雷;劉魯萍 申請（專利權(quán)）人 中電?？导瘓F(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 -
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环NMRAM與其的制作方法。該制作方法包括：步驟S1，在襯底的表面上設(shè)置金屬導(dǎo)線層；步驟S3，在金屬導(dǎo)線層的遠(yuǎn)離襯底的表面上設(shè)置介電層；步驟S4，采用雙大馬士革工藝形成多個(gè)間隔的通孔，通孔包括第一部分與第二部分，第二部分的深度小于第一部分的深度，第二部分的寬度大于第一部分的寬度；步驟S5，在各通孔中填充底電極材料，形成底電極，底電極的遠(yuǎn)離襯底的表面與介電層的遠(yuǎn)離襯底的表面在同一個(gè)平面上，底電極材料為非銅的導(dǎo)電材料。該方法避免了先在通孔中填充銅，然后再在銅上設(shè)置底電極的兩步工藝，且由于不設(shè)置Cu，避免了由于Cu的硬度較低而導(dǎo)致不能形成較平整的表面的問題。