一種高效率量子點光學基片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210670891.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114755861A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114755861A 申請公布日 2022-07-15
分類號 G02F1/13357（2006.01）I;B32B27/32（2006.01）I;B32B27/30（2006.01）I;B32B27/36（2006.01）I;B32B27/34（2006.01）I;B32B27/18（2006.01）I;B32B27/20（2006.01）I;B32B27/08（2006.01）I;B32B27/06（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 陳錦全;周道全 申請（專利權）人 廣東歐迪明光電科技股份有限公司
代理機構 上海微策知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 526238廣東省肇慶市高新區(qū)古塘北路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及光致發(fā)光領域，尤其涉及一種高效率量子點光學基片及其制備方法。光學基片的結構由下至上包括：光輸入層，第一色譜層，散射層，第二色譜層和光輸出層；第一色譜層和第二色譜層中包含量子點熒光微粒；所述量子點熒光微粒為紅光量子點、綠光量子點、藍光量子點、紫光量子點中的任一種。本發(fā)明制備的光學基片具有優(yōu)異的量子點光學基片光轉換效率，特別是在相同QD?G濃度條件下較大幅度提高QD?G的外量子效率，克服了現有量子點器件光譜轉換效率較低的技術難點，并且同時具有良好防腐蝕性以及力學性能，適宜在光致發(fā)光領域推廣，具有廣闊的發(fā)展前景。