一種提高錫基鈣鈦礦晶體生長質(zhì)量的方法及太陽能電池器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111139088.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113943972A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113943972A 申請公布日 2022-01-18
分類號 C30B1/02（2006.01）I;C30B29/54（2006.01）I;C30B29/12（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳朝新;董化;李培舟;樊欽華 申請（專利權）人 寧波激智創(chuàng)新材料研究院有限公司
代理機構 西安新動力知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 胡維
地址 315000浙江省寧波市高新區(qū)滄海路189弄2號6號樓A3
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于無機復合太陽能電池技術領域，涉及一種提高錫基鈣鈦礦晶體生長質(zhì)量的方法及太陽能電池器件。該方法，先將制備的錫基鈣鈦礦薄膜于制冷臺上靜置20～30min，制冷臺的溫度為0～5℃；再移動至加熱臺上靜置，使其晶粒尺寸變大到現(xiàn)有技術的3～4倍以上。本發(fā)明相比于傳統(tǒng)改變前驅(qū)液組分的方式，具有以下不同：首先，其結晶控制可擴展到各種基于碘化錫的鈣鈦礦薄膜，調(diào)整靈活，簡化了鈣鈦礦結晶的工藝條件；然后，采取多種手段沉積的薄膜，如旋涂、噴涂、浸泡、刮涂或輥涂，均可通過此方法提高結晶的質(zhì)量，因此對設備和環(huán)境的要求較低；最后，實施時間短，工藝簡單，作用過程溫度低，可充分滿足器件大面積和商業(yè)化使用的需要。