一種具有TSV結(jié)構(gòu)的MEMS芯片及其圓片級氣密性封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911125646.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110713165A 公開（公告）日 2020-01-21
申請公布號 CN110713165A 申請公布日 2020-01-21
分類號 B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 華亞平 申請（專利權(quán)）人 安徽芯動聯(lián)科微系統(tǒng)股份有限公司
代理機構(gòu) 蚌埠鼎力專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 安徽北方芯動聯(lián)科微系統(tǒng)技術(shù)有限公司
地址 233042 安徽省蚌埠市財院路10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有TSV結(jié)構(gòu)的MEMS芯片及其圓片級氣密性封裝方法，本發(fā)明的MEMS芯片，在蓋板的深槽內(nèi)壁上覆蓋一層絕緣氧化層，使其成為氧化深槽，并在氧化深槽內(nèi)充滿深槽多晶硅，成為TSV結(jié)構(gòu)，MEMS結(jié)構(gòu)的電信號既可以通過第一鍵合金屬塊和TSV導(dǎo)電柱連接到頂層金屬圖形上，也可以通過第二鍵合金屬塊、金屬導(dǎo)線和深槽多晶硅連接到頂層金屬圖形上，達(dá)到了一個TSV結(jié)構(gòu)導(dǎo)通二路電信號的目的。本發(fā)明的方法僅在蓋板圓片制作步驟增加了蝕刻蓋板下凹腔一個加工工序，就在深槽內(nèi)壁覆蓋絕緣氧化層形成氧化深槽，并在氧化深槽內(nèi)充滿深槽多晶硅，形成TSV結(jié)構(gòu)，達(dá)到一個TSV結(jié)構(gòu)導(dǎo)通二路電信號的目的，制造工藝簡單，獲得的MEMS芯片體積小，成本低。