一種MEMS壓力傳感器的封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110809850.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113526455A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113526455A 申請公布日 2021-10-22
分類號 B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;G01L19/00（2006.01）I;G01L19/04（2006.01）I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 蘇佳樂;劉金鋒;華亞平 申請（專利權）人 北京芯動致遠微電子技術有限公司
代理機構 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 代理人 王琪
地址 233042安徽省蚌埠市財院路10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種MEMS壓力傳感器的封裝結構，包括基座、MEMS壓力傳感器芯片、PCB板、ASIC芯片和蓋板，并在MEMS壓力傳感器芯片上增加一塊轉接板，將MEMS壓力傳感器芯片上的雙排或多排引線轉換成單排引線，這樣在與ASIC芯片連接時可以降低工藝難度，提升加工質量和效率，而且通過在MEMS壓力傳感器芯片上增加一個轉接板，將一次打線分為兩次打線，減少了金屬引線的垂直高度，既降低了產品的工藝難度，又提高了產品的可靠性，而且，轉接板上可以制作溫度傳感器，為校準壓力傳感器器件性能提供溫度基準。