一種高純硅生產(chǎn)用中心化合物的制備裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201921292736.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN210434483U | 公開(公告)日 | 2020-05-01 |
| 申請公布號 | CN210434483U | 申請公布日 | 2020-05-01 |
| 分類號 | B01J8/10;B01J8/08;C01B33/107 | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
| 發(fā)明人 | 余水金;汪天培 | 申請(專利權(quán))人 | 福建泰達(dá)高新材料有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 曾捷 |
| 地址 | 365000 福建省三明市將樂縣積善工業(yè)園區(qū)鵬程大道2號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了一種高純硅生產(chǎn)用中心化合物的制備裝置,包括反應(yīng)爐和支撐腳,所述反應(yīng)爐的下方前后兩端左右兩側(cè)均固接有支撐腳,所述反應(yīng)爐的內(nèi)壁上下兩端均固接有加熱板,所述加熱板的左端均通過第二導(dǎo)線與外界電源相連通。該高純硅生產(chǎn)用中心化合物的制備裝置,通過電機、反應(yīng)爐、第一端蓋、第二端蓋、螺釘、環(huán)形濾網(wǎng)、第一膠塞、進氣管和粗硅粉之間的配合,使啟動電機帶動粗硅粉離心后通過進氣管對反應(yīng)爐內(nèi)部注入氯化氫氣體進行制備,解決了現(xiàn)有技術(shù)氣體與粉末的接觸不良導(dǎo)致反應(yīng)效率較差的問題,通過反應(yīng)爐、進氣管、排氣管、第三端蓋、第一膠塞、第二豎管和PH試紙之間的配合,解決了現(xiàn)有技術(shù)不變及時掌握內(nèi)部原料余量導(dǎo)致原料浪費的問題。 |





