一種半導(dǎo)體元件蝕刻液及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510876027.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105513955B 公開（公告）日 2018-01-12
申請公布號 CN105513955B 申請公布日 2018-01-12
分類號 H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭春秋 申請（專利權(quán)）人 盛凡知識產(chǎn)權(quán)有限公司
代理機構(gòu) 北京匯智勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇州鑫德杰電子有限公司;江蘇守航實業(yè)有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)木瀆鎮(zhèn)珠江南路999號3幢B228室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體元件蝕刻液及其制備方法。蝕刻液組分包括：碘、碘化鈉、碘化銨、羧甲基殼聚糖、季戊四醇、山梨醇、銨鹽、正丁醇、乙醇、維生素C、BHT、山梨酸鉀、水。其制備方法為先將碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合攪拌5?10分鐘，得溶液A；將碘化鈉、碘化銨、羧甲基殼聚糖、銨鹽、維生素、山梨酸鉀和水混合攪拌5?10分鐘得溶液B；將溶液A和B混合，加熱至30?40℃，攪拌20?30分鐘即得。本發(fā)明的蝕刻液蝕刻速度快，精度高，蝕刻均勻性強；且制備方法簡單，易控制，易于工業(yè)化生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低。