一種肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710272727.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107359208A 公開(kāi)（公告）日 2017-11-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN107359208A 申請(qǐng)公布日 2017-11-17
分類號(hào) H01L29/872(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種肖特基勢(shì)壘二極管，包括第二導(dǎo)電類型摻雜單晶硅襯底，所述襯底上部設(shè)有第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)橫向間隔設(shè)有多個(gè)第一溝槽，兩相鄰的第一溝槽之間形成有遷移區(qū)，所述遷移區(qū)和第一溝槽的導(dǎo)電層頂部設(shè)置有肖特基勢(shì)壘金屬層，肖特基勢(shì)壘金屬層上設(shè)置有陽(yáng)極金屬層；所述第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)橫向還至少設(shè)置有一個(gè)第二溝槽，所述第二溝槽與遷移區(qū)之間間隔有第一溝槽，所述第二溝槽的導(dǎo)電層頂部設(shè)置有陰極金屬層，所述陰極金屬層與陽(yáng)極金屬層相互不連通。另外，本發(fā)明還公開(kāi)了一種肖特基勢(shì)壘二極管制造方法。采用本發(fā)明，提高了產(chǎn)品的性能和可靠性。