一種溝槽柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體整流器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610148516.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105810755B 公開(kāi)（公告）日 2018-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN105810755B 申請(qǐng)公布日 2018-09-28
分類(lèi)號(hào) H01L29/872;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/329 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏;胡寅旭
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種溝槽柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體整流器，外延層上部設(shè)有第一溝槽，第一溝槽內(nèi)設(shè)有導(dǎo)電多晶硅，導(dǎo)電多晶硅與第一溝槽之間設(shè)有隔離層，隔離層上設(shè)有厚度小于隔離層的二氧化硅柵氧層，二氧化硅柵氧層向上延伸形成介質(zhì)墻壁，介質(zhì)墻壁的兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)電多晶硅側(cè)墻，外延層上部與導(dǎo)電多晶硅側(cè)墻之間區(qū)域形成第二溝槽，外延層上部設(shè)有橫向均勻摻雜區(qū)和梯度摻雜區(qū)，梯度摻雜區(qū)與隔離層接觸形成溝道，外延層下部、橫向均勻摻雜區(qū)、梯度摻雜區(qū)及隔離層之間設(shè)有間隔區(qū)。本發(fā)明采用厚隔離層與薄柵氧層結(jié)合的溝槽柵結(jié)構(gòu)，具有短溝道和溝道摻雜梯度分布，正向?qū)ㄌ匦约?。本發(fā)明還公開(kāi)了一種溝槽柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體整流器制造方法，工藝窗口大，易于控制，光刻次數(shù)少。