超摻雜硅太陽能電池及其制備方法、以及真空鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210208038.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114582992A 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN114582992A 申請公布日 2022-06-03
分類號 H01L31/0288;H01L31/068;H01L31/18;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫才;石中奇;陳青;楊洪旺;劉德雄;楊永佳;李曉紅;李同彩;唐金龍 申請（專利權(quán)）人 四川蜀旺新能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都中璽知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 任潔
地址 621000 四川省綿陽市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)南湖電子信息工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種超摻雜硅太陽能電池及其制備方法、以及真空鍍膜裝置，所述超摻雜硅太陽能電池包括金屬柵線、超摻雜硅層、襯底、鈍化層、定域濃硼重?fù)诫s層和背面接觸電極，其中，襯底的正面具有減反射絨面；超摻雜硅層設(shè)置在所述減反射絨面上，超摻雜硅層為金屬或非金屬超摻雜層，其表面為硅錐、硅?；蚩锥礃?gòu)成的超摻雜硅減反射層；金屬柵線設(shè)置在超摻雜硅層上；氧化鋁鈍化層設(shè)置在襯底的背面，鈍化層上設(shè)置有鏤空的區(qū)域；定域濃硼重?fù)诫s層設(shè)置在鈍化層的鏤空區(qū)域中且與襯底的背面接觸；背面接觸電極設(shè)置在鈍化層的鏤空區(qū)域中且與定域濃硼重?fù)诫s層接觸。本發(fā)明具有光譜吸收范圍廣、制作成本低、節(jié)約資源、器件穩(wěn)定性高等優(yōu)點。