一種半導體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110792961.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113257662B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113257662B 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王礦偉;楊清華;唐兆云;賴志國;吳明;王家友 申請（專利權）人 紹興漢天下微電子有限公司
代理機構 北京允天律師事務所 代理人 李建航
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供了一種半導體器件及其制作方法，該方法包括：在襯底上依次沉積第一掩膜層和第二掩膜層，對第一掩膜層和第二掩膜層進行刻蝕，形成暴露出襯底的凹槽，在凹槽暴露出的襯底以及第二掩膜層上形成金屬層，并去除第一掩膜層、第二掩膜層以及第二掩膜層上的金屬層，保留凹槽暴露出的襯底上的金屬層。由于第一掩膜層和第二掩膜層是采用沉積工藝制作在襯底上的薄膜層，而并不是光刻膠層，因此，即便后續(xù)形成金屬層的沉積工藝溫度過高，也不會對第一掩膜層和第二掩膜層產生影響，即采用沉積工藝形成的第一掩膜層和第二掩膜層對金屬層沉積溫度要求不高，從而可以降低金屬層的沉積難度。