半導(dǎo)體輻射檢測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201980087442.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113260880A 公開（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113260880A 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) G01T1/24（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 曹培炎;劉雨潤(rùn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳幀觀德芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518071廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道塘朗社區(qū)信宜五路13號(hào)塘朗工業(yè)B區(qū)集悅城眾創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園52棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本文公開一種輻射檢測(cè)器（100），其包括：包括第一組電觸點(diǎn)（118A）和第二組電觸點(diǎn)（118B）的電子器件層（120）；被配置為吸收輻射的輻射吸收層（110）；第一組電極（119A）和第二組電極（119B），其中所述第一組電極（119A）和第二組電極（119B）相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述輻射吸收層（110）中；其中所述電子器件層（120）和所述輻射吸收層（110）被結(jié)合，使得所述第一組電極（119A）被電連接到所述第一組電觸點(diǎn)（118A），并且所述第二組電極（119B）被電連接到所述第二組電觸點(diǎn)（118B）。