GaN基發(fā)光二極管、其制備方法及應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210305178.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103633206B | 公開(kāi)（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103633206B | 申請(qǐng)公布日 | 2016-08-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁秉文 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州納方科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華夏博通專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 蘇州納方科技發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基發(fā)光二極管、其制備方法及應(yīng)用。該發(fā)光二極管包括順次疊設(shè)的第一N型GaN層、P型GaN層、多量子阱有源層以及第二N型GaN層，其中，第一N型GaN層生長(zhǎng)在第一襯底上或第二N型GaN層連接在第二襯底上，以及第一或第二N型GaN層上還連接有透明導(dǎo)電層；其制備方法為：在第一襯底上生長(zhǎng)設(shè)定緩沖層，再依次生長(zhǎng)形成前述結(jié)構(gòu)層；其后在第二N型GaN層上連接透明導(dǎo)電層，或者在第二N型GaN層上連接第二襯底，而將第一襯底剝離，并在第一N型GaN層上連接透明導(dǎo)電層。本發(fā)明半導(dǎo)體材料層的厚度小，生長(zhǎng)時(shí)間短，生產(chǎn)效率高，且與透明導(dǎo)電電極接觸的N型GaN層無(wú)需重?fù)诫s，降低因?yàn)榍笆鼋Y(jié)構(gòu)層重?fù)诫s而對(duì)光的吸收，產(chǎn)品良率和發(fā)光效率高。 |
