一種開槽間距的確定方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210269114.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114630497A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114630497A 申請公布日 2022-06-14
分類號 H05K3/00（2006.01）I;H05K3/02（2006.01）I;H05K3/40（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 何軍鵬 申請（專利權(quán)）人 愛科微半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 -
地址 201203上海市浦東新區(qū)自貿(mào)區(qū)祥科路298號一幢2樓202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例公開了一種開槽間距的確定方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。方法應(yīng)用于PCB，PCB包括第一層金屬導(dǎo)體和第二層金屬導(dǎo)體、第一層金屬導(dǎo)體和第二層金屬導(dǎo)體中間設(shè)置有第一絕緣層；第一層金屬導(dǎo)體上表面設(shè)置有第二絕緣層，第二絕緣層表面設(shè)置焊盤和傳輸線，焊盤與傳輸線連接；方法包括：獲取焊盤的實際寄生電容值和寄生電感值，以及傳輸線的特性阻抗值；將傳輸線的特性阻抗值作為焊盤的理想特性阻抗值，根據(jù)寄生電感值和理想特性阻抗值，確定焊盤與第二層金屬導(dǎo)體之間的理想寄生電容值；根據(jù)實際寄生電容值和理想寄生電容值，確定在第一層金屬導(dǎo)體中焊盤的正投影的位置開槽的間距。本申請實施例提供的方法能夠減小焊盤的寄生電容值，從而增大焊盤的特性阻抗，能夠提高高頻信號的傳輸質(zhì)量。