一種等離子體刻蝕機(jī)的腔體

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121966773.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216054569U 公開(kāi)（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN216054569U 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳福仁;霍曜;李彬彬;李瑞評(píng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建晶安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 362411福建省泉州市安溪縣湖頭鎮(zhèn)橫山村光電產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種等離子體刻蝕機(jī)的腔體，包括分子泵、進(jìn)氣口、抽氣口、勻氣盤(pán)、載盤(pán)，所述進(jìn)氣口位于腔體頂部，所述抽氣口位于腔體側(cè)壁處，所述分子泵位于抽氣口處，所述勻氣盤(pán)上開(kāi)有多個(gè)通氣孔，所述通氣孔為內(nèi)外兩圈呈環(huán)形分布，所述通氣孔的開(kāi)口位置、孔徑大小、開(kāi)口方向、開(kāi)口角度或間距可調(diào)整，以使通過(guò)所述進(jìn)氣口導(dǎo)入所述腔體的反應(yīng)氣體均勻分流后導(dǎo)出腔體，從而達(dá)到提高整盤(pán)晶片刻蝕的速率，提高等離子體刻蝕均勻性的效果。