一種高性能存儲設(shè)備和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011434779.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112527198A 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號 CN112527198A 申請公布日 2021-03-19
分類號 G06F3/06(2006.01)I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 周潔 申請（專利權(quán)）人 南京富士通南大軟件技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京鐘山專利代理有限公司 代理人 徐燕
地址 210012江蘇省南京市雨花臺區(qū)文竹路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能存儲設(shè)備和方法，所述Flash存儲模塊分設(shè)于不同的通道，用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的分散存儲，并通過其對應(yīng)的讀寫接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫的并發(fā)性。本發(fā)明存儲設(shè)備采用容量大價格不高的Nand Flash作為存儲，采用最高速率可達(dá)10GB/s的PCI?E接口。本發(fā)明采用多通道傳輸技術(shù)，多個通道可以同時傳輸，且參考Raid0的數(shù)據(jù)存儲方式，把數(shù)據(jù)分散存儲到不同通道上的Nand Flash，提高了數(shù)據(jù)讀寫的并發(fā)性。??