一種精準濕法刻蝕、清洗晶圓邊緣的半導體裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110675335.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113436995A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113436995A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L21/67（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/687（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚大平 申請（專利權）人 江蘇中科智芯集成科技有限公司
代理機構 上海智晟知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 張東梅
地址 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子產(chǎn)業(yè)園創(chuàng)業(yè)路26號101廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及集成電路制造與封裝技術領域，提出一種精準濕法刻蝕、清洗晶圓邊緣的半導體裝置及工藝方法，所述半導體裝置包括晶圓旋轉裝置；通氣管道；通液管道；以及雙相噴嘴。本發(fā)明通過控制雙相噴嘴中通氣道噴射出保護氣體的噴速與流量，可精準控制從通液道噴射出來的刻蝕、清洗液的霧化液滴噴涂到晶圓邊緣的距離，同時不會影響晶圓其它部分?？梢员ＷC僅對晶圓邊緣做刻蝕、清洗工藝，保障了晶圓邊緣區(qū)域的潔凈，能夠提高設置在晶圓邊緣區(qū)域的芯片良率，并且避免邊緣殘留、顆粒等缺陷污染晶圓中心區(qū)域的芯片。