氮化鎵肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010960821.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112038396A 公開（公告）日 2020-12-04
申請公布號 CN112038396A 申請公布日 2020-12-04
分類號 H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/872 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝茂盛;袁根如;張楠 申請（專利權(quán)）人 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
地址 201210 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)祥科路111號3號樓507-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種氮化鎵肖特基二極管及其制備方法，通過MOCVD法形成錐形氮化鎵層凸起及氮化鎵層，錐形氮化鎵層凸起的摻雜濃度大于氮化鎵層，且錐形氮化鎵層凸起與氮化鎵層形成缺陷合攏區(qū)，使得缺陷集中化；在采用腐蝕液剝離生長襯底的過程中可在缺陷合攏區(qū)形成凹槽，通過絕緣層的填充形成缺陷隔離結(jié)構(gòu)，使得缺陷鈍化，且缺陷合攏區(qū)在垂向上的投影完全位于缺陷隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)，從而在垂向上通過缺陷隔離結(jié)構(gòu)切斷載流子的傳輸路徑；進一步的，錐形氮化鎵層凸起可將載流子聚集到錐頂進行傳輸，使得電流導(dǎo)流，且可避開載流子從邊緣缺陷合攏區(qū)通過；本發(fā)明可獲得高耐壓及具有良好防漏電特性的氮化鎵肖特基二極管，從而可提高器件性能。