一種利用團(tuán)簇等離子體刻蝕測量聚合物亞層X光電子能譜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210211316.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114689634A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114689634A 申請公布日 2022-07-01
分類號 G01N23/2273（2018.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李曉偉 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古科技大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 014000內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市昆都侖區(qū)阿爾丁大街7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用團(tuán)簇等離子體刻蝕測量聚合物亞層X光電子能譜的方法，該方法主要利用氬離子團(tuán)簇轟擊聚合物表面，將表面幾十個納米深的原子剝離，然后采用X射線輻照聚合物剝離后的表面，產(chǎn)生X射線光電子能譜，準(zhǔn)確分析剝離后新界面的元素化合態(tài)及含量。本發(fā)明將團(tuán)簇等離子刻蝕技術(shù)與X射線光電子能譜相結(jié)合，檢測半導(dǎo)體不同聚合物薄膜界面層不同深度位置處的X射線光電子能譜，并獲得元素化合態(tài)和含量，有利于探索聚合物半導(dǎo)體薄膜性質(zhì)與光電器件性能間的關(guān)系，在薄膜分析領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用前景。