壓力傳感器
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120179411.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN214702570U | 公開(公告)日 | 2021-11-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214702570U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-12 |
| 分類號(hào) | G01L1/18(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 周志健;余倫宙;熊娟;趙懌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 慧石(上海)測(cè)控科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳國(guó)新南方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 周雷 |
| 地址 | 200000上海市青浦區(qū)華紡路99號(hào)99弄6幢3樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種壓力傳感器,壓力傳感器包括襯底結(jié)構(gòu)以及頂層結(jié)構(gòu),頂層結(jié)構(gòu)包括第一硅層、設(shè)于第一硅層背面的第一絕緣層、設(shè)于第一絕緣層背面的壓阻層、設(shè)于第一硅層正面的頂層第一下絕緣層、形成在頂層第一下絕緣層的正面的厚半導(dǎo)體材料層以及包覆厚半導(dǎo)體材料層的頂層第二下絕緣層;第一硅層用作壓力敏感膜;厚半導(dǎo)體材料層用作島結(jié)構(gòu);壓阻層包括至少一個(gè)壓阻;襯底結(jié)構(gòu)的上表面向下凹陷形成鍵合槽,厚半導(dǎo)體材料層鍵合于鍵合槽內(nèi)并與鍵合槽形成間隙。該壓力傳感器在第一硅層的正面形成用作島結(jié)構(gòu)的厚半導(dǎo)體材料層,達(dá)到有效控制壓力敏感膜的厚度一致性以及平面尺寸一致性的目的。 |





