用于異質結太陽能電池的鍍膜方法及鍍膜設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110645343.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113410342A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113410342A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01L31/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/56（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐陽亮 申請（專利權）人 理想萬里暉真空裝備（泰興）有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 225400江蘇省泰州市泰興高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)環(huán)溪路北側
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供用于制造異質結太陽能電池的鍍膜方法以及鍍膜設備。所述方法先將承載有經制絨硅片的托盤傳送至第一本征PECVD反應腔；然后對第一本征PECVD反應腔、N型PECVD反應腔、第一PVD反應腔同時抽真空；接著依次在各腔中進行第一本征PECVD、N型PECVD、第一PVD工藝，從而在硅片正面形成第一本征非晶硅、N型非晶硅及第一TCO；然后對各腔同時破真空，并通過翻面裝置將硅片進行翻面后以背面朝上的方式放置至托盤；接著將托盤傳送至第二本征PECVD、P型PECVD反應腔以及第二PVD反應腔分別進行第二本征PECVD、P型PECVD工藝以及第二PVD工藝，從而在硅片背面分別形成N型非晶硅、P型非晶硅及第二TCO；最后對第二本征、P型PECVD以及第二PVD反應腔同時破真空。本發(fā)明能減少額外的破空或翻面。